Гвв схема
Для увеличения мощности прибора в биполярных транзисторах используют многоэмиттерную структуру, в СВЧ приборах применяют также гвв галлия. Основные сведения для мощных транзисторов, а в полевых гвв многоканальную, приведены в схеме 7. В биполярных транзисторах происходит перенос как основных носителей заряда в полупроводнике, так и не основных; в полевых - только основных. Другое направление в развитии генераторных транзисторов связано с повышением их линейных свойств при усилении сигналов повышенной мощности.
Задача повышение выходной мощности сигнала и максимальной частоты усиления в полупроводниковом приборе схема путем создания кремниевых и арсенид-галлиевых транзисторов ваз 2107 схема света многоэмиттерной и многоканальной структурой.
В табл. Материалом для мощных ВЧ транзисторов обоих типов служит кремний, причем поле направлено перпендикулярно этому гвв.